Гибкая память RRAM

Корейский институт науки и технологий (Korea Advanced Institute of Science and Technology, KAIST) разработал технологию, позволяющую создавать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), обладающие способностью к деформации.

Данные на таких гибких микросхемах могут считываться и записываться в произвольном порядке с приемлемой скоростью, сообщает Компьюлента со ссылкой на PhysOrg.

В будущем микросхемы памяти, изготовленные по новой технологии, могут найти применение в гибких электронных устройствах. О сроках коммерциализации технологии пока, правда, не сообщается.

Чтобы решить справиться с интерференцией между соседними ячейками памяти, специалистам KAIST удалось интегрировать на гибкой пластиковой подложке высокопроизводительный однокристальный кремниевый транзистор и мемристор (пассивный элемент, способный изменять свое сопротивление, мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности).

Ключевой особенностью элемента данного типа является гистерезис - явление, при котором реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей.

Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти.